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PEALD&CVD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)

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矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點(diǎn)為用戶(hù)開(kāi)發(fā)了PECVDPEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)，用于半導(dǎo)體工藝中的薄膜封裝

詳細(xì)介紹

矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點(diǎn)為用戶(hù)開(kāi)發(fā)了PECVD&PEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)，用于半導(dǎo)體工藝中的薄膜封裝。ALD技術(shù)可以制備非常薄，非常致密的薄膜，但ALD技術(shù)制備致密薄膜需要的時(shí)間比較長(zhǎng)，這在工業(yè)生產(chǎn)中是不能容忍的。為了克服ALD鍍膜速度慢的劣勢(shì)，將其與PECVD快速制備介質(zhì)薄膜的技術(shù)集成到一起，可以實(shí)現(xiàn)多種不同材料交替堆疊的薄膜結(jié)構(gòu)。實(shí)踐證明，這種交替結(jié)構(gòu)的薄膜封裝性能可以達(dá)到與ALD技術(shù)同等的封裝效果，同時(shí)降低了整個(gè)封裝過(guò)程占用的時(shí)間。

ALD

1 不銹鋼腔體，雙層加熱設(shè)計(jì)；

2 等離子體增強(qiáng)模塊集成于腔體上蓋；

3 進(jìn)口高速ALD隔膜閥；

4 12英寸基片；

5 基片加熱400℃；

6 最多可提供6路前驅(qū)物和6路工藝氣體；

7 氣路全金屬密封，并可加熱至120℃；

8 可提供前驅(qū)體鋼瓶加熱或冷卻；

9 可全自動(dòng)控制工藝過(guò)程，同時(shí)也可以手動(dòng)操作。

PECVD

1 基片尺寸可定制；